Компании SanDisk и Toshiba на конференции ISSCC 2008  продемонстрировали доклад о технических инновациях, которые были реализованы в 16ГБ микросхемах накопителя NAND с 43-нм детализацией. Кроме того эти компании сообщили, что начнут промышленно производить MLC-чипов  карт памяти NAND по 43-нм технологического процесса на заводе Yokkaichi Operations, который  расположен около г. Нагоя (Япония). В первую очередь 43-нм технология будет  использована на открытой недавно производственной линии Fab 4, а уже в июне месяце 2008 года. – распространится и на мощностях Fab 3.

После перехода на новый технологический процесс вдвое увеличит емкость транзисторов в чипе (по сравнению с 56-нм технологией), а также позволит повысить надежность и производительность, кроме того снизит стоимость микросхем. Компания SanDisk собирается начать поставлять флэш-компонентов MLC NAND емкостью 16 Гб с июня 2008 г., а 32-гигабитных – во второй половине года.

В марте- апреле 2008 года SanDisk планирует начать производство промишленнного 56-нм карты-памяти x3 NAND, которые развивают скорость передачи данных до 8 Мб/с. Технология x3 (3-bits-per-cell), также дает возможность сохранять три бита информации в одном файле, которые разработали компания SanDisk в сотрудничестве с компанией Toshiba. На карте памяти, произведенной по 56-нм техпроцессу, x3 NAND-микросхем можно вместить на 20% больше, чем в обычных MLC NAND-чипов. Реализация x3 даст возможность обеспечит дальнейший рост эффективности производства и уменьшение цены для элементов памяти.